半导体巨型电子器件——太阳电池可用廉价的非晶硅材料和工艺制作，这就激发了科研人员、研究单位纷纷投入到这个领域的研究中，也引起了企业界的重视和许多国家政府的关注和重视。这就带来了非晶硅太阳电池的大发展。非晶硅太阳电池很快就走出了实验室，走进了中试线和较大规模的生产线。从技术上看，非晶硅太阳电池这一阶段的进步主要表现在：（1）从简单的IT0／P／I/N（a-Si）／Al发展成为Sn02（F）/P-a-SiC／I-a-Si／N-a-Si／AI这样比较复杂实用的结构。Sn0：透明导电膜比IT0更稳定，成本更低，易于实现织构，从而增加太阳电池对光的吸收。采用asIC：H作为P型的窗口层，带隙更宽，减少了P层的光吸收损失，更好地利用入射的太阳光能。（2）对a-Si层和两个电极薄层分别实现了激光划线分割，实现了集成化组件的生产。（3）出现了单空成批生产和多室的流水生产非晶硅薄膜的两种方式。在生产上还出现了以透明导电玻璃为衬底的组件生产和以柔性材料（如不锈钢）为衬底的两种电池组件的生产方式。世界上出现了许多以a一S1太阳电池为主要产品的企业或企业分支。例如，美国的CHR0NAR、s0LAREx，ECD等，日本有三洋、富士、又普等。CHR0NAR公司是asl太阳电池产业开发的急先锋，不仅自己有生产线，还向其它国家输出了多余MW级生产线。美日各公司还用自己的产品分别安装了室外发电的试验电站。最大的有100千瓦容量。在八十年代中期，世界上太阳电池的总销售量中非晶硅占有40％。出现非晶硅、多晶硅和单晶硅三足鼎立之势。
